10dBm出力 1500nm 半導体光増幅器の研究

1500nm帯SOAは、InPベースの量子井戸構造設計に基づき、電気ポンピングによる反転分布を実現し、誘導放出原理を用いて光信号を増幅します。利得帯域幅はCバンド端(1530~1565nm)をカバーし、活性領域材料のバンドギャップを調整することで1500nm波長要件に適合させることができます。標準的な小信号利得は25~30dBに達し、歪量子井戸の最適化により偏光関連損失を1dB未満に低減できます。

動画から、新モデルでは画面上で直接動作モードを切り替え、電力、電流、ゲインの値を調整・設定できることが分かります。

本製品は1550nm帯の半導体光増幅器です。飽和出力は10dBmです。APC/ACC/AGCの3つの動作モードをサポートします。本モデルは2025年最新のタッチスクリーン設計を採用しており、パラメータはディスプレイ上で明確に表示されます。パラメータは画面上で直接調整することも、ソフトウェアとコマンドを介して増幅器パラメータを制御することもできます。

出力は10dBmレベルで、飽和光電力(通常12~15dBm)の下限値に近いため、電力安定性に対する要求が高いシナリオに適しています。動特性は、従来の希土類元素添加光ファイバー増幅器よりも優れています。

この半導体光増幅器の試験報告書。